晶圓
單管
模塊
芯達茂出席2023大灣區數字能源產業發展高峰論壇
11月30日,2023大灣區數字能源產業發展高峰論壇在深圳市南山區三諾智慧大廈隆重舉行,吸引了數字能源生態圈上下游的從業者們積極參與。論壇就目前數字能源行業的發展現狀、挑戰、機遇等多個主題與來自政府、企業、學術界的行業專家們進行現場討論。
會上,芯達茂微電子副總經理李邦能分享了IGBT和碳化硅功率器件在儲能產品上應用趨勢。新能源汽車、充電樁、光伏、儲能,以及UPS是IGBT和碳化硅功率器件的五大主要應用領域,SiC芯片價格降低、SiC器件性能優化,以及功率模塊封裝優化都是碳化硅功率器件面臨的挑戰。
IGBT自20世紀80年代末開始工業化應用以來發展迅速,IGBT芯片由MOSFET和BJT構成,既有MOSFET的輸入阻抗高、驅動電路簡單,驅動功率小的優點,又有BJT導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點,被廣泛應用于工業、汽車、通信及消費電子領域。
SiC功率器件主要是替代Si功率器件,在緊湊領域/高功率密度/高溫領域(如汽車電驅/OBC)以及高能源效率要求(如光伏逆變器/充電樁)等,可以充分發揮其優勢。
這次大會為各企業間的合作搭建了一個平臺,促進了知識的交流和分享,大家能夠進一步了解行業現在和未來發展趨勢,為推動行業高質量發展,貢獻我們的智慧和力量。
芯達茂出席2023大灣區數字能源產業發展高峰論壇
11月30日,2023大灣區數字能源產業發展高峰論壇在深圳市南山區三諾智慧大廈隆重舉行,吸引了數字能源生態圈上下游的從業者們積極參與。論壇就目前數字能源行業的發展現狀、挑戰、機遇等多個主題與來自政府、企業、學術界的行業專家們進行現場討論。
會上,芯達茂微電子副總經理李邦能分享了IGBT和碳化硅功率器件在儲能產品上應用趨勢。新能源汽車、充電樁、光伏、儲能,以及UPS是IGBT和碳化硅功率器件的五大主要應用領域,SiC芯片價格降低、SiC器件性能優化,以及功率模塊封裝優化都是碳化硅功率器件面臨的挑戰。
IGBT自20世紀80年代末開始工業化應用以來發展迅速,IGBT芯片由MOSFET和BJT構成,既有MOSFET的輸入阻抗高、驅動電路簡單,驅動功率小的優點,又有BJT導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點,被廣泛應用于工業、汽車、通信及消費電子領域。
這次大會為各企業間的合作搭建了一個平臺,促進了知識的交流和分享,大家能夠進一步了解行業現在和未來發展趨勢,為推動行業高質量發展,貢獻我們的智慧和力量。