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4月9日，第十一屆中國電子信息博覽會在深圳會展中心順利收官。作為展示全球電子信息產業最新產品和技術的頂級平臺，中國電子信息博覽會自2013年首次舉辦以來，經過十一載時光淬煉，一路見證了產業發展的壯闊歷程，已成為推動技術創新的參與者與引領產業發展的風向標。

芯達茂產品亮相盛會

4月7日-9日，廈門芯達茂微電子攜IGBT系列、SiC系列等產品亮相本次盛會。芯達茂鎖定行業發展前沿，深耕國內市場，快速打通產業鏈資源，把握“芯”機遇。

芯達茂展出的IGBT系列產品，提供兼具高性能、高可靠度等優勢的電機“心臟”，強勁助力新能源、工業、交通、智能制造領域發展。

產品采用溝槽結構的場截止技術，晶圓元胞區和終端場板的特殊設計實現在大電流、大電壓的環境下始終保持卓越性能與高可靠度，從根本上打破國外大廠壟斷全面賦能第三代半導體國產替代。

電子元器件峰會演講

4月8日，芯達茂CTO、麻省理工博士蔡銘進在2023中國電子元器件創新與供應鏈安全發展峰會上，發表了關于《碳化硅功率器件的演進、機會與挑戰》的演講。

蔡博分享總結了SiC器件，特別是SiC MOSFET的技術和產品的發展歷程。闡述了SiC MOSFET在中國的應用和市場機會，以及國內企業需要克服的技術挑戰。

SiC是一種寬帶隙化合物，具有優異的材料特性，包括高電子遷移率、擊穿電壓、高導熱度和熱穩定性等。這些特性導致SiC功率器件的高效率、高切換速度、耐高壓、高功率密度、小的形狀因數和簡單的冷卻系統，使得在電動汽車、光伏和其他產業應用上極有優勢。但它的高材料成本，及器件的可靠度技術問題，一直限制或延遲它的廣泛應用。

作為國內碳化硅半導體功率器件主流供應商之一，芯達茂擁有深厚的、具有自主知識產權的器件設計和工藝研發的能力，在國產化替代中不斷探索開發，緊跟國際大廠的步伐，縮小差距。