晶圓
單管
模塊
芯達茂開展功率器件與驅動電路設計模塊專業技術知識培訓會議
為進一步提升相關人員專業素質及企業經營質量,以達到“技術專業化、成本最小化、效益最大化”,實現可持續發展的目的,12月6日,廈門芯達茂微電子組織了功率器件與驅動電路設計模塊專業技術知識培訓會議,公司全體AE/FAE/營運及市場營銷人員參加會議。
此次培訓會議上,芯達茂研發副總李邦能從IGBT模塊的介紹及應用領域、SiC/GaN模塊的介紹及應用領域、IGBT手冊解讀、柵極驅動設計、動態特性測量——雙脈沖測試等七個方面闡述了相關專業知識。
本次培訓著重對IGBT芯片的結構、工藝演進、工作原理、優缺點、實際應用的場景、實現的效果、以及如何對比幫助客戶選擇我們的IGBT器件進行了詳細地分析。
IGBT自20世紀80年代末開始工業化應用以來發展迅速,IGBT芯片由MOSFET和BJT構成,既有MOSFET的輸入阻抗高、驅動電路簡單,驅動功率小的優點,又有BJT導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點,被廣泛應用于工業、汽車、通信及消費電子領域。
培訓過程中,各位同事就一些技術和推廣上的問題進行了激烈、廣泛的討論,李邦能副總一一進行了耐心地答疑,幫助大家解決工作中遇到的難題。
通過這次培訓,大家對于功率器件與驅動電路設計模塊有了更深刻的理解,也在各研發、銷售部門間建立起了一個橫向的技術交流的平臺。通過加強技術交流促進公司研發技術不斷進步,也為市場營銷的推廣奠定了堅實基礎,為企業的高質量發展添翼賦能。
芯達茂開展功率器件與驅動電路設計模塊專業技術知識培訓會議
為進一步提升相關人員專業素質及企業經營質量,以達到“技術專業化、成本最小化、效益最大化”,實現可持續發展的目的,12月6日,廈門芯達茂微電子組織了功率器件與驅動電路設計模塊專業技術知識培訓會議,公司全體AE/FAE/營運及市場營銷人員參加會議。
此次培訓會議上,芯達茂研發副總李邦能從IGBT模塊的介紹及應用領域、SiC/GaN模塊的介紹及應用領域、IGBT手冊解讀、柵極驅動設計、動態特性測量——雙脈沖測試等七個方面闡述了相關專業知識。
本次培訓著重對IGBT芯片的結構、工藝演進、工作原理、優缺點、實際應用的場景、實現的效果、以及如何對比幫助客戶選擇我們的IGBT器件進行了詳細地分析。
IGBT自20世紀80年代末開始工業化應用以來發展迅速,IGBT芯片由MOSFET和BJT構成,既有MOSFET的輸入阻抗高、驅動電路簡單,驅動功率小的優點,又有BJT導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點,被廣泛應用于工業、汽車、通信及消費電子領域。
培訓過程中,各位同事就一些技術和推廣上的問題進行了激烈、廣泛的討論,李邦能副總一一進行了耐心地答疑,幫助大家解決工作中遇到的難題。
通過這次培訓,大家對于功率器件與驅動電路設計模塊有了更深刻的理解,也在各研發、銷售部門間建立起了一個橫向的技術交流的平臺。通過加強技術交流促進公司研發技術不斷進步,也為市場營銷的推廣奠定了堅實基礎,為企業的高質量發展添翼賦能。